Samsung Arbeitsspeicher - Tipps für die optimale Aufrüstung
Hinweis: Wir haben 11 Samsung Arbeitsspeicher für Sie recherchiert.
In unserem Vergleich betrachten wir die Spezifikationen und Features der verschiedenen Arbeitsspeicher-Modelle von Samsung. Dabei analysieren wir Erfahrungswerte, Nutzerbewertungen sowie technische Daten, ohne die Produkte selbst physisch zu testen. Dies ermöglicht es uns, eine umfassende Übersicht zu bieten, die auf verfügbaren Informationen beruht.
Wie man den passenden Samsung-Arbeitsspeicher findet
Wichtige Kriterien
-
Kompatibilität mit dem eigenen Gerät
-
Größe des Arbeitsspeichers (in GB)
-
Geschwindigkeit des Arbeitsspeichers (in MHz)
-
Speichertyp (z. B. DDR3, DDR4)
-
Latenzzeit des Arbeitsspeichers
1.) Kompatibilität prüfen
2.) Qualität und Markenzuverlässigkeit
3.) Garantie und Rückgaberecht
Die Samsung Arbeitsspeicher unserer Wahl
- Samsung M471A1K43CB1-CRC, PC/server component.
- 8GB internal memory.
- 1 x 8GB DDR4 memory module.
- 2666MHz memory frequency.
- 260-Pin SO-DIMM memory module type.
- CAS latency: 19.
- Black and green product color.
- Gesamtkapazität von 8 GB für ausreichend Speicherplatz.
- Formfaktor von 288 PIN DIMM für einfache Installation.
- Merkmale: DDR4 PC4-21300, CL19, ungepuffert, Nicht-ECC, DDR4-2666, 1,2 V.
- Gute Geschwindigkeit von 2.666 MHz für schnelles Arbeiten.
- 16 GB Gesamtkapazität.
- Formfaktor: 260 Pin SODIMM.
- DDR4 PC4-21300, CL19, ungepuffert, Nicht-ECC, DDR4-2666, 1,2 V.
- Geschwindigkeit: 2.666 MHz.
- Speichergröße: 8192MB
- Taktfrequenz: 2666MHz
- Typ: DDR4
- Speicherriegel: 1
- ECC: Nein
- Fassungsvermögen von 8 GB für ausreichend Speicherplatz.
- Formfaktor von 260 Pin SODIMM für einfache Installation.
- DDR4 PC4-21300, CL19, ungepuffert, Nicht-ECC, DDR4-2666, 1,2 V.
- Geschwindigkeit von 2666 MHz für starke Performance.
- Samsung M471A1K43CB1-CRC Komponente für: Laptops
- Interne Speicherkapazität von 8 GB
- Hohe Speicherfrequenz von 2400 MHz
- 260-Pin SO-DIMM Speicherelement
- Starke CAS-Latenz von 17
- Marke: Samsung M471B1G73DB0-YK0
- Modell/Serie: 8GB DDR3 SO-DIMM PC3L-12800S
- Formfaktor: SO-DIMM
- Größe: 8 GB
- Speichertechnik: DDR3
- Speicher-Art: DDR3 SDRAM
- Speichergeschwindigkeit: 1600 MHz
- Volt: 1.35 Volt
- Nr. 15 von 16 in DDR3-RAM
- Samsung 8 GB DDR3.
- Komponente für Notebooks / Labtops.
- Interner Speicher: 8 GB.
- Speicheranordnung: 1 x 8 GB.
- Interner Speichertyp: DDR3.
- Speichertaktfrequenz: 1600 MHz.
- Speichermodul Form: 204-Pin SO-DIMM.
- CAS-Operationszeit: 11.
- Samsung ist einer der Marktführer für DRAM.
- Samsung bietet DDR4 Speicher mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch.
- Samsung DDR4 ist für Server, PCs und Laptops geeignet.
Samsung Arbeitsspeicher Ratgeber
Bei der Samsung Group handelt es sich um einen Mischkonzern, der in diesem Bereich die Marktführerposition besitzt. Das Unternehmen arbeitet mit etwa 197 Niederlassungen in mehr als 80 Ländern. Im Jahr 2014 waren im Unternehmen etwa 489.000 Mitarbeiter beschäftigt. Das Flaggschiff des Konzerns stellt der Bereich Samsung Electronics dar. Unter der Führung des Hauses kommt es zur Herstellung von DRAM- und NANO-Flashspeicherkarten sowie SSD. Außerdem produziert das Unternehmen Smartphones, Handys und Fernsehgeräte. Heute zeichnet sich Samsung Electronics durch eine Unterteilung in drei Divisionen, deren Zuständigkeit für bis zu vier Geschäftsfelder gegeben ist. Dazu gehört der Bereich Hardwarelösungen mit den Geschäftsfeldern Speicher, System LSI und LED. Große Aufmerksamkeit widmet das Unternehmen der Produktion von Arbeitsspeichern, die von stärkeren Unterschieden gekennzeichnet sind.
Der Markenspeicher als Samsung Server RAM
Dieser Arbeitsspeicher zeichnet sich durch einen Speicher in Höhe von acht Gigabyte aus. Zur Verwendung gelangen kann dieser in DDR3 Servern. Von Bedeutung ist in diesem Fall eine Taktung von 1333/1600 Mhz ECC. Gleichzeitig muss die REGISTERED Unterstützung vorliegen. Bei einigen Modellen wie diesem Speicher darf allerdings keine Verwendung in PC Systemen erfolgen. Es handelt sich bei diesem Speicher um ein Modul, welches Dual & Triple Channel fähig ist.
Der Arbeitsspeicher mit dem Leistungsmerkmal Unbuffered
Präsentiert wird der Arbeitsspeicher mit einer Versorgungsspannung in Höhe von 1,8 Volt. Ausgearbeitet ist der Dual-Channel-fähige Arbeitsspeicher mit der Bauform DIMM. Zudem liegen zwei Module mit je vier GB. Bei diesen Speichern liegt eine Kompatibilität mit den Chipsätzen vom Typ SIS, nForce, nVidia, VIA, ATI und AMD. Zu beachten ist in diesem Fall, das die Kombination dieses Arbeitsspeichers mit den Chipsätzen und CPUs von Intel nicht funktioniert.
Der Arbeitsspeicher mit den goldenen Einflüssen
Bei diesem Speicher handelt es sich um ein hochwertiges und zuverlässiges Modul, welches vergoldete Kontakte besitzt. Maßgebend ist ein 240-Pin DIMM-Modul. Insgesamt besitzt der Arbeitsspeicher einen Umfang von zwei GB. Angeboten wird der Speicher mit der Bauform DIMM. Als Taktung ist ein Wert von 1333 Mhz gegeben.
Der Arbeitsspeicher mit höherer Leistung
Es gibt Arbeitsspeicher für Dual Channel, die in Form eines Sets präsentiert werden. Daher gibt es Arbeitsspeicher mit zwei mal acht Gigabyte. Daher handelt es sich um schnelle RAMs mit 1600 Mhz. Mitunter liegt eine Kompatibilität mit Modellen wie von DELL vor.
Die weiteren Arbeitsspeicher von Samsung
Wie vielfältig die Welt der Samsung Arbeitsspeicher ausgearbeitet ist, zeigt sich an den Kombinationsmöglichkeiten. So ist der Einsatz von Speichern mit einer Größe von 2 x 2 GB möglich, die vom Typ SO-DIMM stammen. Dieses bedeutet, dass 4096 MB als Arbeitsspeicher vorliegen. Getaktet sind die Arbeitsspeicher mit einer Leistung von 667 Mhz. Ferner liegt eine kompatible Spezifikation mit 533 Mhz vor. Es handelt sich zudem um einen Speicher mit 200 vergoldeten PINs. Außerdem gibt es eine Vielzahl von Arbeitsspeichern für Notebooks. Bei diesen Speichern kommt es zu einer automatischen Erkennung. Teilweise besitzen die Speicher die Ausarbeitung für DDR2 und DDR3. Selbst wenn der Arbeitsspeicher nur wenig aufgestockt wird, findet sich doch die richtige Leistung wie an einem 512 MB Ram Speicher deutlich wird.
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